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一种超细SiNWS : Eu3+, La3+, Y3+荧光纳米材料制备方法 发明申请

2023-11-29 2970 301K 0

专利信息

申请日期 2025-06-24 申请号 CN201910468004.5
公开(公告)号 CN110104653A 公开(公告)日 2019-08-09
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 承德石油高等专科学校
简介 本发明提供了一种新型超细SiNWS : Eu3+, La3+, Y3+荧光纳米材料的制备方法,包括如下步骤:S1、采用单晶硅片为衬底,用丙酮和甲醇混合液超声清洗,用氨水和双氧水混合溶液超声清洗,再用稀释的HF超声清洗,用去离子水清洗、烘干,备用;S2、热蒸发金属Al和Sc,在S1备用的硅片衬底上形成3‑5nm的金属Al和Sc混合金属膜层,作为生长Si纳米线的金属催化剂;S3、在氩气的保护下,在单晶Si衬底表面生长出Si纳米线;S4、以稀土Eu2O3、Y2O3和La2O3粉末为杂质源,按照比例混合均匀并涂覆在所述步骤S3中形成的Si纳米线的表面;S5、对步骤S4中生成的Si纳米线进行Eu3+、Y3+和La+掺杂,制备荧光纳米材料SiNWS : Eu3+, La3+, Y3+。


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