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非真空法制备梯度带隙CIGS太阳能电池光吸收层的生产工艺 发明申请

2023-05-20 2380 1180K 0

专利信息

申请日期 2025-07-11 申请号 CN201410148830.9
公开(公告)号 CN103887373A 公开(公告)日 2014-06-25
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 苏州斯贝孚光伏科技有限公司
简介 本发明提供非真空法制备梯度带隙CIGS太阳能电池光吸收层的生产工艺,以镓和有机硒源溶解物为晶核生长剂并溶解于III.VI族三元化合物中得到纯相;C、Si、Ge、Sn主族、V、Cr、Fe阳离子和Ti过度金属和镧系轻稀土元素的掺杂物或铝硫碳参与液-固相配位化学反应形成无铟无镓中间带材料,形成5种不同元素组分呈梯度能带分布的太阳能电池光子吸收层。本发明的生产工艺包括步骤:S1.制备导带底层和价带顶层的前驱溶液F1;S2.制备中间带层的前驱溶液F2;S3.制备带隙调节的前驱溶液F3、带隙调节亚层前驱溶液F4、调节亚层补充前驱溶液F5;S4.对基底进行清洗;S5.涂覆成光吸收层;S6.有机硒源热合成处理。


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