| 申请日期 | 2025-08-18 | 申请号 | TW100113716 |
| 公开（公告）号 | TWI442576B | 公开（公告）日 | 2014-06-21 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 神户制钢所股份有限公司; 三星显示器有限公司 | ||
| 简介 | 系提供一种薄膜电晶体的开关特性佳，即使在ZnO浓度特高之区域，且即使在形成保护膜後以及施加应力後，亦可稳定地得到良好特性之薄膜电晶体半导体层用氧化物。本发明之薄膜电晶体之半导体层用氧化物，为使用在薄膜电晶体的半导体层之氧化物，前述氧化物系含有Zn及Sn，且进一步含有选自由Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga、及稀土类元素所组成之X群的至少一种元素。 | ||
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