| 申请日期 | 2025-07-04 | 申请号 | CN201280032609.6 |
| 公开（公告）号 | CN103827624A | 公开（公告）日 | 2014-05-28 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 法雷奥日本株式会社 | ||
| 简介 | 本发明提供不受磁铁的差别的影响的高精度的接近传感器。在作为稀土类粘结磁铁的磁铁(10)的注射成形时，在N、S的磁极面间的中间嵌入成形第一磁轭，使第一磁轭的突出部(22)从与磁极面(12)垂直的壁面突出。使第二磁轭(30)的突起部(32)与突出部(22)对置而使主体部(31)与磁铁(10)的壁面平行配置，在突出部(22)与突起部(32)间的空间配置将连结该突出部和突起部的方向设为磁感应方向的霍尔IC(40)。当被检测部件(50)远离磁极面(12)时磁通横穿磁感应方向，但若被检测部件(50)向磁极面(12)接近则在突起部(32)与突出部(22)间沿磁感应方向流动磁通，从而霍尔IC(40)高灵敏度地检测磁通密度的变化。由于仅具备一个磁铁(10)，所以不会受到多个磁铁每个的差别、安装的差别的负面影响。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
