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单光子源器件的制备方法 发明申请

2023-05-19 4420 393K 0

专利信息

申请日期 2025-07-12 申请号 CN201410054031.5
公开(公告)号 CN103812003A 公开(公告)日 2014-05-21
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院半导体研究所
简介 一种单光子源器件的制备方法,包括如下步骤:步骤1:取一下反射镜;步骤2:在下反射镜上制备一层有源层;步骤3:在有源层上制备上反射镜,形成谐振腔结构,完成制备。本发明是通过设计稀土纳米晶核壳结构,并将稀土纳米晶核壳结构转移至光学谐振腔中,以实现对稀土离子分布在空间上的精确控制,实现单光子源器件。


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