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发光元件、发光装置、照明装置以及电子设备 发明授权

2023-08-31 4300 3460K 0

专利信息

申请日期 2025-06-24 申请号 CN200910253370.5
公开(公告)号 CN101752512B 公开(公告)日 2014-05-07
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 株式会社半导体能源研究所
简介 本发明的目的之一在于提供呈现出高亮度的发光并且能够以低电压驱动的发光元件。此外,本发明的目的之一在于提供使耗电量降低的发光元件或电子设备。在阳极和阴极之间,设置有n(n是2以上的自然数)层的EL层,在第一EL层和第二EL层之间从阳极一侧按顺序具有包含选自碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物或稀土金属化合物中的任一种的第一层,与第一层接触并包含高电子传输性物质的第二层,与第二层接触并包含高空穴传输性物质及受体物质的区域。


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