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BRAZING MATERIAL, ELECTRON TUBE, MAGNETRON AND BRAZING METHOD 发明授权

2023-11-02 2040 281K 0

专利信息

申请日期 2025-06-27 申请号 EP08832766
公开(公告)号 EP2233241B1 公开(公告)日 2014-04-16
公开国别 EP 申请人省市代码 全国
申请人 Toshiba Hokuto Electronics Corp; Toshiba Materials Co Ltd
简介 To obtain a brazing material where the major components thereof is Mo and Ru of the rare metal is not used. The brazing material comprised of (1 to 3.5) wt% of C - (1 to 3.5) wt% of B - remainder of Mo.


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