| 申请日期 | 2026-03-13 | 申请号 | TW098118926 |
| 公开（公告）号 | TWI433952B | 公开（公告）日 | 2014-04-11 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 出光兴产股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明系提供可抑制使用溅镀法之氧化物半导体膜在成膜时产生异常放电，可连续安定成膜的溅镀靶。提供具有稀土氧化物C型的结晶结构、表面无白点(溅镀靶表面上所产生之凹凸等的外观不良)之溅镀靶用的氧化物。; 本发明提供具有方铁锰矿结构，含有氧化铟、氧化镓、氧化锌之氧化物烧结体，铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)之组成量为以原子%表示满足下式的组成范围的烧结体。; In/(In+Ga+Zn)<0.75 | ||
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