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一种含低熔点镝镍合金的钕铁硼磁体及其制备方法 发明授权

2023-06-16 1170 406K 0

专利信息

申请日期 2025-07-29 申请号 CN201810277208.6
公开(公告)号 CN108417379B 公开(公告)日 2019-07-30
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 严高林
简介 一种含低熔点镝镍合金的钕铁硼磁体,所述磁体中DyNi合金的质量百分比含量为3‑7%,其制备方法包括:(1)DyNi合金通过电弧炉熔炼,破碎,再磨成小于5微米的细粉;(2)将DyNi合金细粉按质量百分比含量添加到钕铁硼粉末中,混合均匀;(3)将混合均匀的粉末在脉冲磁场和等静压下压制成型,得到压胚;(4)将压胚置入真空烧结炉内,以600‑800℃/h的升温速率升至1010℃,然后以50‑150℃/h升至1060℃,烧结2‑4小时,随后在900℃退火1‑2小时,在650℃退火1‑2小时,冷却,获得本发明磁体。操作方便,工艺条件简便,产品质量稳定,稀土合金用量省,生产成本较低。


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