| 申请日期 | 2025-07-01 | 申请号 | TW100142114 |
| 公开（公告）号 | TWI473122B | 公开（公告）日 | 2015-02-11 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 村田制作所股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明之课题在於提供一种使用如下半导体陶瓷构成之半导体陶瓷元件，该半导体陶瓷於实际使用温度下产生金属-绝缘体转变，并且具有充分之强度，因此易於处理。本发明之半导体陶瓷元件1具备：包含半导体陶瓷之元件本体2，该半导体陶瓷包含含有稀土类元素、镍、钛之钙钛矿型或烧绿石型氧化物，且使镍之一部分还原而作为金属镍存在；以及隔着元件本体2而形成之1对电极3、4。该半导体陶瓷元件1於实际使用温度范围内显示急剧之电阻变化，因此可有利地用作温度感测器。 | ||
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