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加Y提高Mg-Zn-Zr镁合金电磁屏蔽性能的方法 发明授权

2023-08-13 1720 1315K 0

专利信息

申请日期 2025-09-10 申请号 CN201310164376.1
公开(公告)号 CN103233153B 公开(公告)日 2015-02-04
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 重庆大学
简介 本发明公开了一种加Y提高Mg-Zn-Zr镁合金电磁屏蔽性能的方法,通过在Mg-Zn-Zr合金中加入稀土元素Y来实现,具体方法包括熔炼制锭-均匀化-热挤压等。由于Y的加入,合金中的相组成随着Zn/Y的变化而变化。经均匀化、挤压后的合金在测试频率30MHz-1.5GHz范围内的电磁屏蔽效能SE最大值为100dB。与不含稀土元素Y的合金相比,电磁屏蔽效能提高了20dB以上,显著的改善了Mg-Zn-Zr镁合金的电磁屏蔽性能,拓宽了Mg-Zn-Zr合金在工业、电子电气、航天军工等领域的应用范围。


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