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一种碘填充的方钴矿热电材料及其制备方法 发明申请

2023-06-17 2300 1666K 0

专利信息

申请日期 2025-07-22 申请号 CN201410467814.6
公开(公告)号 CN104332555A 公开(公告)日 2015-02-04
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 燕山大学
简介 一种碘填充的方钴矿热电材料,其是一种分子式为ImAnTxCo4-xSb12-yTey的物质,其中I是对方钴矿笼子进行填充的元素碘,A是选自碱金属、碱土金属及稀土金属的填充元素;T为Fe或Ni的一种,并且上述分子式满足0<m≤1,0≤n<1,0≤x<3.5,0≤y≤1。本发明的制备方法主要是将原料各组分冷压成预制坯,再将预制坯经过三步高温高压过程。本发明首次制备出碘阴离子填充的Co4Sb12-型方钴矿热电材料,相比其它类型的填充元素,碘填充能更有效地降低热导率,也是迄今为止在方钴矿中具有最低热导率的材料。


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