| 申请日期 | 2026-03-07 | 申请号 | CN201780058590.5 |
| 公开（公告）号 | CN109964302A | 公开（公告）日 | 2019-07-02 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | IQE公司 | ||
| 简介 | 本文描述的系统和方法包括在稀土氧化物和半导体层之间的外延金属层。所述系统和方法据述用于生长分层结构(100)，该结构包括基底(102)，在基底上外延生长的第一稀土氧化物层(104)，在所述稀土氧化物上外延生长的第一金属层(106)层和在所述第一金属层上外延生长的第一半导体层(108)。 | ||
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