| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | TW100107316 |
| 公开（公告）号 | TWI471383B | 公开（公告）日 | 2015-02-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 半导体能源研究所股份有限公司 | ||
| 简介 | 一种发光元件，该发光元件在阳极与阴极之间具有EL层，并且在阴极与EL层之间具有第一层、第二层及第三层，其中，第一层设置在阴极与第二层之间并接触於阴极及第二层且由电洞传输物质及受体物质构成，第二层设置在第一层与第三层之间并接触於第一层及第三层且由酞菁类材料构成，第三层设置在第二层与EL层之间并接触於第二层及EL层且含有硷金属、硷土金属、稀土金属、硷金属化合物、硷土金属化合物或稀土金属化合物。 | ||
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