| 申请日期 | 2025-06-30 | 申请号 | TW102132183 |
| 公开（公告）号 | TW201402852A | 公开（公告）日 | 2014-01-16 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 出光兴产股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明提供一种溅射靶，其能够抑制通过溅射法形成氧化物半导体膜时的异常放电的发生，并且能够连续且稳定地形成膜。 本发明还提供一种溅射靶用氧化物，其具有稀土类氧化物C型晶体结构，且表面无白斑(在溅射靶表面形成的凹凸等外观不良)。 本发明还公开了一种氧化物烧结体，其具有方镁石结构并且包含氧化铟，氧化镓和氧化锌。 铟(In)，镓(Ga)和锌(Zn)的组成量(原子%)在满足下式的组成范围内 : In/(In+Ga+Zn)<0.75 | ||
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