| 申请日期 | 2025-06-24 | 申请号 | CN201280019702.3 |
| 公开（公告）号 | CN103492346A | 公开（公告）日 | 2014-01-01 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 京瓷株式会社 | ||
| 简介 | 提供一种采用不含有稀土类的材料、具有40～46的相对介电常数εr、且使Qf值提高的介电陶瓷及具备其的介质滤波器。介电陶瓷由在组成式表示为αZrO2·βTiO2·γZnO·δNb2O5时，摩尔比α、β、γ、δ满足0.3000≤α≤0.5500、0.3300≤β≤0.6000、0.0108≤γ≤0.0717、0.0193≤δ≤0.1283、α+β+γ+δ＝1及0.5<γ/δ≤1的烧结体构成，且在烧结体表面的至少一部分存在有Zn浓度5％以上的部分。 | ||
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