| 申请日期 | 2025-07-23 | 申请号 | CN201910236887.7 |
| 公开（公告）号 | CN109943336A | 公开（公告）日 | 2019-06-28 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 昆明理工大学 | ||
| 简介 | 本发明公开一种稀土离子掺杂氯氧化铋半导体材料及其制备方法，属于发光材料技术领域。本发明所述半导体材料的通式为Bi0.89Ho0.01Yb0.1NdxOCl，其中X=0~0.03，0≤x≤0.03，其制备方法是将KCl，Nd2O3，Yb2O3，Ho2O3，Bi(NO3)3▪5H2O，去离子水等原材料混合后通过水热法制备得到几种稀土离子掺杂卤氧化铋半导体荧光粉。本发明所述方法制备的卤氧化铋半导体荧光粉物理化学性质稳定，制备方法简单、原材料的成本低，具有优异的上转换发光性能，并且可以实现颜色可调，在荧光灯，光波导放大器等光学器件领域存在潜在的应用。 | ||
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