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Bismuth substd. rare earth iron garnet single crystal and its manufacturing method 发明授权

2023-11-03 3120 281K 0

专利信息

申请日期 2025-06-30 申请号 JP2013068852
公开(公告)号 JP5377785B1 公开(公告)日 2013-12-25
公开国别 JP 申请人省市代码 全国
申请人 Guranoputo Inc505418434
简介 PROBLEM TO BE SOLVED : Pb amt. containing a small amount of both and Pt, excellent crystallinity, RIG is less affected by the environment. SOLUTION : the liquid-phase epitaxial growth by a bismuth rare earth iron garnet single crystal, per-compsn. 0. 010 larger than 0. 100 or less Ca, larger than the per-compsn. 0 0. 005 or less of Pb, and larger than the per-compsn. 0 0. 010


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