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强磁场下制备磺化聚苯硫醚质子交换膜的方法 发明申请

2023-04-09 4450 357K 0

专利信息

申请日期 2026-04-23 申请号 CN201310432749.9
公开(公告)号 CN103456972A 公开(公告)日 2013-12-18
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 上海大学
简介 本发明涉及一种强磁场下制备磺化聚苯硫醚质子交换膜的方法。该方法采用强磁场对未改性或稀土改性的中高磺化度磺化聚苯硫醚质子交换膜进行处理,所得质子交换膜在30°C~110°C下的质子传导率为1.1×10-2~6.2×10-2Scm-1,阻醇系数为1.0×10-7~6.9×10-7cm2s-1。


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