| 申请日期 | 2025-07-08 | 申请号 | CN201180065633.5 |
| 公开（公告）号 | CN103460412A | 公开（公告）日 | 2013-12-18 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 萨里大学 | ||
| 简介 | 光电子器件具有光敏区域，所述光敏区域包含掺杂有稀土元素离子的半导体材料。与稀土掺杂剂离子的内部能量状态相关的特性跃迁通过那些状态与在半导体带结构中的能量状态的直接相互作用而被修改。Eu3+和Yb3+掺杂的硅LED和光电探测器被描述。所述LED发射在光通信中重要的在波长范围1300nm到1600nm中的辐射。 | ||
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