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一种高温高压下生长羟基碳酸钐Sm(OH)CO3单晶的方法 发明申请

2023-02-23 2290 259K 0

专利信息

申请日期 2025-06-28 申请号 CN201910341661.3
公开(公告)号 CN109930194A 公开(公告)日 2019-06-25
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院地球化学研究所
简介 本发明公布了一种高温高压下生长羟基碳酸钐Sm(OH)CO3单晶的方法,包括以下步骤:步骤一、羟基碳酸钐粉晶的合成:使用分析纯的十水草酸钐研磨均匀作为起始原料用银箔包裹置于h‑BN管中进行高温高压反应,获得羟基碳酸钐粉晶样品;步骤二:羟基碳酸钐的生长:将所述羟基碳酸钐粉晶样品和分析纯的氢氧化钠按照摩尔比1:0.1研磨均匀作为起始原料用铂金密封的样品置于h‑BN管中进行高温高压反应,获得羟基碳酸钐单晶样品,获得了高质量、大尺寸、无杂质的单晶样品,解决了目前稀土碳酸盐单晶样品难以人工合成的技术问题,为后续羟基碳酸钐的晶体结构的定量研究以及各向异性的物理/化学性质的研究研究提供重要保障。


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