| 申请日期 | 2025-07-07 | 申请号 | TW102103492 |
| 公开（公告）号 | TW201343936A | 公开（公告）日 | 2013-11-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 神户制钢所股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明提供呈现与纯银膜几乎同程度的低电阻率，而且比从前的银合金膜在耐久性(具体而言为耐盐水性或耐卤素性)及与基板之密接性优异，进而，在以溅镀法形成前述银合金膜时，溅镀时的成膜速度与纯银差不多快的银合金膜。本发明之前述银合金膜，系用於反射膜及／或透过膜，或者电气配线及／或电极；含有：由Pd、Au、及Pt构成的群所选择的至少1种元素0.1～1.5原子百分比；稀土类元素之至少1种、Bi、及Zn构成的群所选择的至少1种元素0.02～1.5原子%；其余为银及不可避免的不纯物所构成。 | ||
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