| 申请日期 | 2025-09-12 | 申请号 | CN201310200706.8 |
| 公开（公告）号 | CN103367632A | 公开（公告）日 | 2013-10-23 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 盐城彤晖磁电有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种自旋阀磁电阻传感器材料的制备方法，包括：利用计算机控制的磁控溅射设备在硅衬底上溅射形成缓冲层Cr，沉积SmCo5层，沉积铁磁/Cu/铁磁三明治夹层，得到多层膜自旋阀磁电阻传感器材料，用四探针法测量多层膜自旋阀磁电阻传感器材料的磁电阻效应。优点是：上述自旋阀磁电阻传感器材料的制备方法提出利用稀土永磁对底部铁磁层进行钉扎，从而获得自旋阀磁电阻传感器材料，用稀土永磁材料替代传统反铁磁材料，充分利用了丰富的稀土资源，同时保持较好的磁电阻效应，在室温附近很宽的温度范围内保持磁电阻效应基本不变，将在磁电子学传感器有潜在的使用价值，可望在互联网领域得到应用。 | ||
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