| 申请日期 | 2025-07-08 | 申请号 | TW098109473 |
| 公开（公告）号 | TWI412045B | 公开（公告）日 | 2013-10-11 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 京瓷股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明之积层陶瓷电容器之介电质陶瓷系将钛酸钡作为主成分，且以说明书中记载之比例含有钒、镁、锰、说明书中记载之稀土元素以及铽。构成上述介电质陶瓷之结晶具有由钙浓度为0.2原子%以下之第1晶粒所组成的第1结晶群组、以及由钙浓度为0.4原子%以上之第2晶粒所组成的第2结晶群组。当将於上述介电质陶瓷之研磨面上所观察到之上述第1晶粒的面积设为C1、将上述第2晶粒之面积设为C2时，C2/(C1+C2)为0.3~0.7。於上述介电质陶瓷之X射线绕射图中，显示立方晶之钛酸钡之(200)面的绕射强度大於显示正方晶之钛酸钡之(002)面的绕射强度。居里温度为95~105℃。 | ||
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