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Crystal 发明授权

2023-02-01 3650 99K 0

专利信息

申请日期 2025-08-11 申请号 JP2009022589
公开(公告)号 JP5311474B2 公开(公告)日 2013-10-09
公开国别 JP 申请人省市代码 全国
申请人 FDK Corporation237721
简介 PROBLEM TO BE SOLVED : To provide a method for producing a magnetic garnet single crystal by a liquid-phase epitaxial growth method using a lead-free flux. SOLUTION : The magnetic garnet single crystal is grown by a liquid-phase epitaxial growth method from a melt raw material using Bi2O3-Na2CO3as a flux, which is represented by the general formula : (RBi)3Fe5-x-y-zInxMyPtzO12, wherein R is one or more elements selected from rare-earth elements (however, Ca may be included additionally), M is one or more elements selected from Ga and Al, and 0COPYRIGHT : (C)2010, JPO&INPIT


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