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R-T-B系烧结磁铁的制造方法 发明授权

2023-02-04 1510 3245K 0

专利信息

申请日期 2025-07-12 申请号 CN201080004756.3
公开(公告)号 CN102282279B 公开(公告)日 2013-10-02
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 日立金属株式会社
简介 本发明的R-T-B系烧结磁铁的制造方法包括以下工序:分别制备R-T-B系合金粉末A和R-T-B系合金粉末B的工序,使得上述R-T-B系合金粉末B的粒径D50比上述R-T-B系合金粉末A的粒径D50小1.0μm以上,且使得R-T-B系合金粉末A中的重稀土元素RH和上述R-T-B系合金粉末B中的重稀土元素RH的质量%的含量差ΔRH,为上述R-T-B系合金粉末B比上述R-T-B系合金粉末A高4质量%以上;混合上述R-T-B系合金粉末A和上述R-T-B系合金粉末B的工序;将上述混合之后的R-T-B系合金粉末成型为规定形状的成型体的工序;和烧结上述成型体的工序。


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