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一种双稀土掺杂TiO2纳米管有序阵列的制备方法 发明申请

2023-03-06 2610 1523K 0

专利信息

申请日期 2025-07-21 申请号 CN201310222210.0
公开(公告)号 CN103334141A 公开(公告)日 2013-10-02
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 上海交通大学; 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
简介 本发明公开一种双稀土掺杂TiO2纳米管有序阵列的制备方法,该方法包括:(1)使用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯钛膜;(2)将溅射有钛膜的Al2O3陶瓷片进行阳极氧化,获得高度有序的TiO2纳米管阵列;(3)将TiO2纳米管阵列的陶瓷片浸泡在双稀土溶液中,利用水热法进行离子掺杂。该方法克服必须使用钛片或者钛箔制备高度有序纳米管的缺陷,并且能够将双稀土离子成功负载在二氧化钛纳米管的内部或表面,大幅度提高TiO2的光催化性能。本发明操作简便,反应条件温和,产物性质稳定,并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀,可用于大面积制备薄膜,适用于工业化生产。


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