| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN201310260078.2 |
| 公开（公告）号 | CN103337519A | 公开（公告）日 | 2013-10-02 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 清华大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种场效应晶体管及其形成方法，其中该场效应晶体管包括：衬底；形成在衬底之上的超薄绝缘体层，超薄绝缘体层的材料为单晶稀土氧化物或单晶氧化铍；形成在超薄绝缘体层之上的超薄半导体单晶薄膜；以及形成在超薄半导体单晶薄膜之上的栅堆叠，栅堆叠包括栅介质以及形成在栅介质上方的栅电极。本发明的场效应晶体管及其形成方法具有结构简单、工艺兼容、关态电流低、散热好等优点。 | ||
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