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一种高介电常数X8R型MLCC介质材料及其制备方法 发明授权

2023-01-05 3980 450K 0

专利信息

申请日期 2025-07-14 申请号 CN201210146787.3
公开(公告)号 CN102718477B 公开(公告)日 2013-09-25
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 福建火炬电子科技股份有限公司
简介 一种高介电常数X8R型MLCC介质材料及其制备方法,以100重量份的钛酸钡为基材,添加有如下重量份的成分:1.6-2.5份的铌钴化合物;0.722-1.805份的钛铋钠化合物;1.25-2.0份的锆钙化合物;1-3份的玻璃粉;0.369-1.2份的Ce、Yb、Dy、Ho的氧化物中的一种或多种复合;0.1-0.25份的碳酸锰。本发明适量添加碳酸锰、稀土元素、锆钙化合物为本发明的重点与核心,稀土元素在钛酸钡基介电陶瓷材料中既可以作为施主也可以作为受主进行掺杂改性,能抑制本征氧空位以及其他B位施主掺杂带来的氧空位的迁移,提高材料系统的绝缘电阻率、抗老化性能和抗还原性能,可用于制作银-钯电极和镍电极MLCC。


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