| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN201280005903.8 |
| 公开（公告）号 | CN103329224A | 公开（公告）日 | 2013-09-25 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | ||
| 简介 | 本发明的R-T-B系烧结磁体的制造方法，包括：准备至少一个R-T-B系烧结磁体原材料(R为稀土元素，T为Fe或者Fe和Co)的工序；准备含有重稀土元素RH(Dy和/或Tb)和30质量%以上80质量%以下的Fe、各自的粒径超过53μm且在5600μm以下的多个RH扩散源的工序；在处理容器内配置R-T-B系烧结磁体原材料和RH扩散源的配置工序，其中，使RH扩散源中的几个与R-T-B系烧结磁体原材料接触；在处理容器内，对接触RH扩散源中的几个的状态的R-T-B系烧结磁体原材料、以及接触R-T-B系烧结磁体原材料的RH扩散源和不接触R-T-B系烧结磁体原材料的RH扩散源，在压力5000Pa以下的不活泼气氛下，在800℃以上1000℃以下的温度进行热处理的RH扩散工序；和，使RH扩散源从R-T-B系烧结磁体原材料离开的分离工序。 | ||
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