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Earth abundant photonic structures 发明授权

2023-08-11 4500 2021K 0

专利信息

申请日期 2025-08-24 申请号 US12932979
公开(公告)号 US8542437B1 公开(公告)日 2013-09-24
公开国别 US 申请人省市代码 全国
申请人 Michael S Lebby; Andrew Clark; F Erdem Arkun; Robin Smith; David Williams
简介 The present invention relates to semiconductor devices comprising rare earth based optical gain medium layers suitable for electronic and optoelectronic applications.


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