| 申请日期 | 2025-06-24 | 申请号 | CN201310120193.X |
| 公开（公告）号 | CN103290452A | 公开（公告）日 | 2013-09-11 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 西安建筑科技大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种耐蚀性的纳米阵列氧化铝/二氧化铈复合膜的制备方法，在铝及其合金二次阳极氧化后再在含有强氧化剂的稀土盐的溶液中电沉积或化学沉积制备纳米阵列氧化铝/二氧化铈复合膜。该方法在第二次铝阳极氧化过程倾斜阴极，控制铝基阳极氧化纳米阵列中氧化铝阵列的结构，提高铝基体和氧化铝的结合力。本发明的成膜方法不腐蚀掉铝基体上的氧化铝阻挡层也能在多孔层中沉积高质量的二氧化铈膜，工艺简单，阴极沉积成膜温度为室温，化学成膜温度低于60℃，生产周期短，所需设备简单，成的膜耐腐蚀性高。实现了绿色环保生产。 | ||
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