| 申请日期 | 2025-08-19 | 申请号 | TW107127988 |
| 公开（公告）号 | TW201923851A | 公开（公告）日 | 2019-06-16 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 美商格芯(美国)集成电路科技有限公司 | ||
| 简介 | 本发明揭示形成西格玛形状(sigma shaped)源极/汲极晶格的方法、器件及系统中的至少一种鳍片形成在半导体基板上闸极区域形成在该鳍片的上方在邻接该鳍片的底部的源极区域以及汲极区域中，第一凹槽空腔形成於该源极区域中，以及第二凹槽空腔形成於该汲极区域中该第一凹槽空腔以及第二凹槽空腔包括相对於垂直轴形成角度的侧壁该第一以及第二凹槽空腔的部分於该鳍片的下方延伸於该第一凹槽空腔中，形成第一稀土氧化物层，以及於该第二凹槽空腔中，形成第二稀土氧化物层 | ||
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