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The manufacturing process of embedded nano-dot on Rare earth doped AgSbTe₂matrix in thermoelectric m 发明授权

2023-01-09 5310 1331K 0

专利信息

申请日期 2026-04-27 申请号 KR1020110147470
公开(公告)号 KR101296813B1 公开(公告)日 2013-08-08
公开国别 KR 申请人省市代码 全国
申请人 Korea ElectroTechnology Research InstituteKRKRKR
简介 PURPOSE : A manufacturing method of an AgSbTe 2 type thermal conduction material is provided to improve a thermal conduction property by equally forming nanomaterials. CONSTITUTION : A rare earth type element is inserted into the ample of a vacuum condition. The doping material of 0.01-1 weight is added to the element. The element is fused. The fused raw-material is rapidly cooled. Ingot is manufactured by the rapid cool.


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