客服热线:18202992950

氧化物薄膜用溅射靶及其制造方法 发明申请

2023-11-21 4550 5495K 0

专利信息

申请日期 2026-04-23 申请号 CN201310165982.5
公开(公告)号 CN103233204A 公开(公告)日 2013-08-07
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 出光兴产株式会社
简介 本发明提供一种氧化物烧结体,其特征在于,除氧之外的全部原子的原子数为100原子%时,含有In(铟)24~49原子%,且具有稀土氧化物C型的结晶结构。此外,本发明还涉及溅射靶、氧化物烧结体的制造方法、氧化物薄膜、形成非晶质氧化物薄膜的方法、薄膜晶体管的制造方法以及半导体装置。


您还没有登录,请登录后查看下载地址


反对 0举报 0 收藏 0 打赏 0评论 0
下载排行
网站首页  |  关于我们  |  联系方式  |  使用协议  |  版权隐私  |  网站地图  |  排名推广  |  广告服务  |  积分换礼  |  网站留言  |  RSS订阅  |  违规举报  |  京ICP备2021025988号-4