| 申请日期 | 2025-07-09 | 申请号 | CN200980149760.6 |
| 公开（公告）号 | CN102245536B | 公开（公告）日 | 2013-07-31 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | ||
| 简介 | 本发明的半导体陶瓷，以具有由通式AmBO3表示的钙钛矿型结构的BamTiO3类组合物作为主成分，构成A位的Ba的一部分至少被碱金属元素、Bi以及稀土元素取代，并且A位与B位的摩尔比m为0.990≤m≤0.999(优选0.990≤m≤0.995)。另外，Ba的一部分用Ca取代，并且将构成A位的元素的总摩尔数设为1摩尔时的上述Ca的含量，以摩尔比换算为0.042～0.20(优选0.125～0.175)。PTC热敏电阻，部件基体(1)由该半导体陶瓷形成。由此，即使含有碱金属元素，也得到良好的上升特性。 | ||
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