| 申请日期 | 2025-08-08 | 申请号 | CN201910139028.6 |
| 公开（公告）号 | CN109881251A | 公开（公告）日 | 2019-06-14 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 上海大学 | ||
| 简介 | 本申请公开了稀土掺杂倍半氧化物亚微米X射线成像用单晶薄膜闪烁屏及其制备方法。所述单晶薄膜闪烁屏是在合适的单晶衬底上，生长稀土掺杂倍半氧化物单晶薄膜闪烁屏，其结构表述为：(Lu1‑x‑yMxREy)2O3。其中：0≤x≤1, 0＜y≤0.3。RE代表Eu、Tb、Pr中的一种或多种，M代表Sc、Y、La、Gd、Hf中的一种或多种。本申请的单晶薄膜闪烁屏具有重密度，其中Lu2O3密度达9.42g/cm3，Eu在611nm的窄带发射与CCD响应曲线的匹配。本申请的制备方法不存在原料污染的问题，单晶薄膜质量高，光学性质和闪烁性能高。故本申请的单晶薄膜闪烁屏可以广泛应用于科学研究、医疗、安检、工业等领域中。 | ||
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