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一种低成本制备双轴织构氧化物缓冲层的方法 发明申请

2023-01-09 5150 494K 0

专利信息

申请日期 2026-04-27 申请号 CN201210007749.X
公开(公告)号 CN103208586A 公开(公告)日 2013-07-17
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 上海恒云能源科技有限公司
简介 本发明公开了一种低成本制备双轴织构氧化物缓冲层的方法。该方法是指通过电沉积的方法在金属基底上制备氧化物缓冲层,然后进行热处理,最后得到具有良好面内面外双轴织构的外延氧化物膜。氧化物指的是ReOx,ReMnxOy和RexZryOz(Re为Y,Zr及Ce、Gd、Ho等稀土元素)等可用于第二代高温超导带材的各种缓冲层。本发明可以制备单层双轴织构氧化物缓冲层,也可以制备多层双轴织构氧化物缓冲层。在电沉积的过程中施加磁场,可以提高双轴织构氧化物缓冲层的表面质量。


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