| 申请日期 | 2025-06-24 | 申请号 | TW097111695 |
| 公开（公告）号 | TWI401235B | 公开（公告）日 | 2013-07-11 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 京瓷股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明系提供高介电率且介电常数的温度变化满足EIA规格的X5R特性，即使所施加电压较低的情况仍可获得高绝缘电阻的介电陶瓷，以及具备有以此种介电陶瓷为介电质层，且在高温负荷试验中的寿命特性优异之积层陶瓷电容器。; 以不同Ca浓度的钛酸钡为主体之介电陶瓷，相对於构成该介电陶瓷的钡100莫耳之下，含有：钒依V2O5换算计0.05~0.3莫耳、镁依MgO换算计0~1莫耳、锰依MnO换算计0~0.5莫耳、以及从钇、镝、钬及铒中选择的稀土族元素(RE)依RE2O3换算计0.4~1.5莫耳，并在介电陶瓷的X射线绕射图中，表示正方晶系钛酸钡的(004)面之绕射强度大於表示立方晶系钛酸钡的(400)面之绕射强度。 | ||
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