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介电质陶瓷及积层陶瓷电容 发明授权

2023-04-12 1490 1671K 0

专利信息

申请日期 2026-04-25 申请号 TW097131748
公开(公告)号 TWI400729B 公开(公告)日 2013-07-01
公开国别 TW 申请人省市代码 全国
申请人 村田制作所股份有限公司
简介 本发明实现一种介电质陶瓷及积层陶瓷电容,该介电质陶瓷具有良好的交流(AC)电压特性,此外可维持所需之介电特性与良好的温度特性,且耐电压性亦良好,从而能确保可靠性。本发明之介电质陶瓷系以BaTiO3系化合物作为主成分,由以下通式表示:100AmBO3+aNiO+bROn+cMOv+dMgO+eXOw(其中,R为Dy等之稀土类元素,M为Mn等之金属元素,X为含有Si之烧结助剂成分)。Ni均匀固溶於晶粒内,且於晶粒中,稀土类元素之固溶区域以截面面积比计为平均10%以下,并满足0.96≦m≦1.030、0.05≦a≦3、0.1≦b≦1.5、0.1≦c≦1.0、0.1≦d≦1.5、0.05≦e≦3.5。本发明之积层陶瓷电容系由上述介电质陶瓷形成介电质层1a~1g。


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