| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | CN201310088509.1 |
| 公开（公告）号 | CN103173221A | 公开（公告）日 | 2013-06-26 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | ||
| 简介 | 本发明提供了一种上转换荧光材料，以GaN为基质，Yb3+为敏化剂，其化学组成为Ga1-x-y-zYbyRexSiZN，其中，Re为稀土金属Er、Tm、Ho、Pr、Sm或Dy中的任意一种，0.1%≤x≤2%，x≤y≤5x，0.01%≤z≤0.1%。另外，本发明还提供了一种上转换荧光材料的制备方法。本发明提供的上转换荧光材料，以GaN为基质，有效利用了GaN的热稳定性好、熔点高、易于实现稀土离子掺杂性能，同时，以Yb3+作为敏化剂，提高了上转换的转换效率，使得制备的上转换荧光材料热稳定性好、上转换效率高。 | ||
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