| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | TW096136156 |
| 公开（公告）号 | TWI399766B | 公开（公告）日 | 2013-06-21 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 京瓷股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明系介电体层为由下述介电体磁器所构成的积层陶瓷电容器及其制法。该介电体磁器系具有以钛酸钡为主成分，且平均结晶粒径0.15~0.3 μm的结晶粒子，相对於上述钛酸钡100莫耳份，含有：Mg依MgO换算计0.5~2莫耳份、Mn依MnO换算计0.2~0.5莫耳份，以及从Ho、Y、Er、Tm、Yb及Lu中选择1种的第1稀土族元素(RE)、及从Sm、Eu、Gd、Tb及Dy中选择1种的第2稀土族元素(RE)，依RE2O3换算合计0.7~3莫耳份，同时，上述结晶粒子系将上述第1稀土族元素与上述第2稀土族元素，依第1稀土族元素量较多於第2稀土族元素量的方式含有，且上述第1稀土族元素的上述结晶粒子从晶界至中心部的浓度斜率系－0.005~－0.05原子%/nm，第2稀土族元素的上述浓度斜率系－0.0005~－0.005原子%/nm。 | ||
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