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The nitride-based white light emitting device and manufacturing method thereof 发明授权

2023-07-10 3800 457K 0

专利信息

申请日期 2026-04-24 申请号 JP2006221070
公开(公告)号 JP5214861B2 公开(公告)日 2013-06-19
公开国别 JP 申请人省市代码 全国
申请人 Samsung Display Co Ltd
简介 A light emitting device includes an n-type cladding layer. a p-type cladding layer. an active layer interposed between the n-type cladding layer and the p-type cladding layer and an ohmic contact layer contacting the p-type cladding layer or the n-type cladding layer. The ohmic contact layer includes a first film that includes a transparent conductive zinc oxide doped with a rare earth metal and including a one-dimensional nano structure. The one-dimensional nano structure is one of a nano-column, a nano rod and a nano wire.


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