| 申请日期 | 2025-09-17 | 申请号 | TW101135275 |
| 公开（公告）号 | TW201322513A | 公开（公告）日 | 2013-06-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 科罗库斯科技股份有限公司 | ||
| 简介 | MRAM单元包括一磁性穿隧接面, 其包括一储存层, 该储存层具有一净磁化向量, 当该磁性穿隧接面处於一高温定限値下时, 其可从一第一方向调整为一第二方向, 且在一低温定限値下固定不变; 一感测层, 其具有一可反转的净感测磁化向量; 及一穿隧障壁层, 其介於该感测与储存层之间; 该储存与感测层的至少一个包括一亚铁磁3d-4f非晶合金材料, 其包括一3d过渡金属原子的次晶格, 其提供一第一磁化向量; 及一4f稀土金属原子的次晶格, 其提供一第二磁化向量, 以致在该储存层及该感测层之该至少一个的一补偿温度下, 该第一磁化向量及该第二磁化向量本质上相等。所揭示的MRAM单元可分别使用一小写入及读取场来进行写入及读取。 | ||
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