| 申请日期 | 2025-07-04 | 申请号 | CN201210565733.0 |
| 公开（公告）号 | CN103103610A | 公开（公告）日 | 2013-05-15 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 福建福晶科技股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法，原理是在Nd : YLF晶体中掺入GdF3，其化学式为：Ndx : Y(1-x-y)GdyLiF4。其中x=0~0.02, y=0.005~0.1，Gd与Y是性质相近的稀土元素，Gd离子半径比Y离子半径大4%，刚好介于Nd3+与Y3+之间，大离子半径Gd3+的掺入部分替代Y3+进入晶格，减小了晶体的内部张力，同时减小Y3+附近刃型位错应变能，从而可以抑制位错的迁移和重排，从而降低位错的密度，即抑制小角晶界的形成，可以有效改善Nd : YLF晶体的光学均匀性，获得高光学质量，物理性优良的掺钕氟化钇钆锂晶体，其激光二极管泵浦光-光转换效率超过60%，该激光晶体采用提拉法进行生长，工艺简单，能够实现大规模低成本的批量生产。 | ||
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