| 申请日期 | 2025-06-26 | 申请号 | CN201110278361.9 |
| 公开（公告）号 | CN102331651B | 公开（公告）日 | 2013-05-08 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京交通大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了两稀土超磁致伸缩体的光纤受激布里渊散射阈值提高装置，属于高功率窄线宽光纤激光器、窄线宽光纤放大器领域。解决了现有的工艺要求高、调节光纤的长度短及不可控等缺点。两稀土超磁致伸缩体的光纤受激布里渊散射阈值提高装置，包括第一稀土超磁致伸缩体(1)、第二稀土超磁致伸缩体(2)、交变电流源(3)、螺旋线圈(4)、固定底座(5)；第一稀土超磁致伸缩体(1)、第二稀土超磁致伸缩体(2)放置在固定底座(5)的凹槽内；螺旋线圈(4)套在第一稀土超磁致伸缩体(1)、第二稀土超磁致伸缩体(2)外部，放置在固定底座(5)上；交变电流源(3)与螺旋线圈(4)的两端连接。该装置调节范围宽，受交变电流源控制。 | ||
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