| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN201110335908.4 |
| 公开（公告）号 | CN103088246A | 公开（公告）日 | 2013-05-08 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | ||
| 简介 | 本发明提供一种用于磁制冷的稀土-钴-硅材料及其制备方法和用途，该稀土-钴-硅材料为以下通式的化合物：(Ho1-xErx)CoSi，其中x的范围为0≤x≤1。本发明的稀土-钴-硅材料，特别是ErCoSi和HoCoSi的相变温度分别为5.5K和15K，而磁熵变在各自相变温度附近均高于25J/(kg K)(磁场变化为0-5T)，0-2T时的最大磁熵变超过17J/(kg K)，并具有较大磁制冷能力和良好的热、磁可逆性，是非常理想的低温区磁制冷材料。 | ||
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