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钛酸钡系半导体陶瓷组合物及PTC热敏电阻 发明授权

2023-10-07 4620 506K 0

专利信息

申请日期 2025-08-02 申请号 CN200980137962.9
公开(公告)号 CN102164873B 公开(公告)日 2013-04-17
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 株式会社村田制作所
简介 本发明提供不含有Pb而可以提高居里点并且经时变化小、可靠性优异的钛酸钡系半导体陶瓷组合物及PTC热敏电阻。本发明的钛酸钡系半导体陶瓷组合物以组成式(Ba1-x-y-zSry(A1Bi)xA2z)TiO3表示,A1是碱金属元素,A2是稀土类元素,x、y、z满足:0.03≤x≤0.20、0.02≤y≤0.20、0.0005≤z≤0.015并且x-0.10≤y≤(5/4)·x的关系。此外,优选相对于100摩尔份的Ti,添加0.01摩尔份以上0.20摩尔份以下的Mn。


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