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一种低温制备氧氮化铝透明陶瓷的方法 发明授权

2023-05-11 3060 565K 0

专利信息

申请日期 2025-09-11 申请号 CN201010049105.8
公开(公告)号 CN106342083B 公开(公告)日 2013-04-17
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所
简介 本发明涉及一种低温制备氧氮化铝透明陶瓷的方法。步骤如下:(1)制备一种含有由Y2O3或其它稀土氧化物和SiO2组成的烧结助剂的氧氮化铝粉体;(2)将得到的粉体过筛、压片成型并冷等静压;(3)将制备的素坯放入碳管炉中并抽真空后充入高纯氮气。将炉温按5~25℃/min的速率升温至1750~1900℃,并保温4~48小时。本发明制备温度低,很好地降低了电力和炉子的损耗,相应地在很大程度上降低了氧氮化铝透明陶瓷的制备成本,制备出氧氮化铝透明陶瓷透过率在45%左右。


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