| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN201210367991.8 |
| 公开（公告）号 | CN103035836A | 公开（公告）日 | 2013-04-10 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 克罗科斯科技公司 | ||
| 简介 | 本发明涉及包含亚铁磁层的自参考磁随机存取存储器单元。MRAM单元包含磁隧道结，该磁隧道结包含：存储层，具有净存储磁化，该净存储磁化在磁隧道结处于高温阈值时可调节并且在低温阈值处被钉住；感应层，具有可逆转的感应磁化；以及感应层与存储层之间的隧道阻挡层；存储层和感应层中的至少一个包含亚铁磁3d-4f非晶合金材料，该亚铁磁3d-4f非晶合金材料包含提供第一磁化的3d过渡金属原子的亚晶格和提供第二磁化的4f稀土原子的亚晶格，使得在所述存储层和感应层中的至少一个的补偿温度处，第一磁化和第二磁化基本相等。可以分别使用小的写入和读取场对公开的MRAM单元进行写入和读取。 | ||
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